Révolution dans la mémoire informatique : Des puces MRAM plus rapides et ultra-économes en énergie
Une avancée majeure dans la technologie MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) promet une mémoire informatique plus rapide et ultra-efficace. Développée par des scientifiques de l'Université d'Osaka, cette innovation utilise des champs électriques plutôt que des courants pour réduire considérablement la consommation d'énergie tout en conservant les données sans alimentation.
La MRAM se distingue déjà par sa capacité à retenir les données sans courant et sa compatibilité avec les puces CMOS. Cependant, sa consommation énergétique lors de l'écriture des données restait un défi. L'étude publiée dans Advanced Science propose une solution basée sur des hétérostructures multiferroïques combinant des couches ferroélectriques et piézoélectriques.
L'équipe a utilisé un alliage Heusler (Co₂FeSi) couplé à un matériau piézoélectrique (PMN-PT), séparés par une fine couche de vanadium. Cette configuration a permis d'obtenir un effet magnétoélectrique record (10⁻⁵ s/m) et un contrôle stable de l'aimantation par simple champ électrique, même à température ambiante.
Contrairement aux méthodes traditionnelles générant de la chaleur par effet Joule, cette approche élimine le besoin de forts courants ou de champs magnétiques externes. Elle permet également deux états binaires non volatils à champ électrique nul, essentiels pour le stockage de données fiable et économe en énergie.
Cette technologie compatible CMOS ouvre la voie à des applications variées, des appareils médicaux portables aux systèmes industriels. Elle pourrait révolutionner la spintronique en offrant une alternative durable aux mémoires énergivores actuelles.
