Intel dévoile sa technologie de process 18A : +30% de densité, +25% de performances ou -36% de consommation énergétique

Intel details 18A process technology — 30% higher density, boosts performance by 25% or lowers power consumption by 36%

Intel dévoile sa technologie de process 18A : +30% de densité, +25% de performances ou -36% de consommation énergétique

Intel a présenté une étude détaillée sur son procédé de fabrication 18A (classe 1,8 nm) lors du symposium VLSI 2025, rassemblant toutes les informations sur cette technologie innovante. Ce nouveau nœud de production promet des améliorations significatives en termes de puissance, performances et compacité par rapport à son prédécesseur, avec une densité accrue de 30%, des performances boostées de 25% ou une réduction de la consommation énergétique de 36%. Surtout, le 18A marque le retour d'Intel dans la course face à TSMC, les deux fondeurs entrant en production de masse au second semestre 2025.

L'architecture 18A se décline en deux bibliothèques : haute performance (HP) avec cellule de 180 nm pour les applications intensives, et haute densité (HD) avec cellule de 160 nm pour les usages sobres en énergie. Le premier produit à en bénéficier sera le processeur Panther Lake, dont le lancement est prévu fin 2025.

Les tests comparatifs révèlent des gains impressionnants : à tension égale (1,1V), le 18A offre 25% de performances supplémentaires ou 36% d'économie d'énergie par rapport à l'Intel 3. En mode basse tension (0,75V), l'amélioration atteint 18% en vitesse avec 38% de consommation en moins. La densité des cellules SRAM passe à 0,021 µm², rivalisant avec les nœuds N5/N3E de TSMC.

Deux innovations clés propulsent cette technologie : les transistors RibbonFET (GAA de 2e génération) et le réseau d'alimentation PowerVia par l'arrière. Le PowerVia améliore la densité de 8-10%, réduit la chute de tension d'un facteur 10 et simplifie la conception des puces. Les tests de fiabilité accréditent sa robustesse dans des conditions extrêmes.

Intel a optimisé la fabricabilité avec un procédé EUV simplifié et moins de masques, tout en maintenant la compatibilité avec ses technologies d'emballage avancées. Bien que le 18A ne supporte pas la tension maximale de 1,3V comme l'Intel 3, ses avantages globaux en font un sérieux concurrent du N2 de TSMC. Reste à voir si cela suffira à redorer le blason d'Intel sur le marché des fondeurs.

Intel công bố chi tiết công nghệ tiến trình 18A: Mật độ tăng 30%, hiệu năng tăng 25% hoặc tiết kiệm điện tới 36%

Intel vừa công bố báo cáo toàn diện về tiến trình sản xuất 18A (lớp 1,8nm) tại hội nghị VLSI 2025, tập hợp mọi thông tin quan trọng về công nghệ mới này. Nút sản xuất 18A hứa hẹn cải thiện vượt trội về hiệu suất, tiêu thụ điện năng và mật độ so với thế hệ trước, với mật độ transistor tăng 30%, hiệu năng tăng 25% hoặc tiết kiệm điện tới 36%. Đặc biệt, đây là lần đầu tiên sau nhiều năm Intel có công nghệ cạnh tranh trực tiếp với TSMC khi cả hai cùng vào sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm 2025.

Tiến trình 18A được thiết kế cho cả máy tính cá nhân và trung tâm dữ liệu, với hai thư viện chính: thư viện hiệu năng cao (HP) kích thước 180nm và thư viện mật độ cao (HD) 160nm cho ứng dụng tiết kiệm điện. Bộ xử lý Panther Lake dự kiến ra mắt cuối năm nay sẽ là sản phẩm đầu tiên sử dụng công nghệ này.

So với Intel 3, 18A cho thấy ưu thế rõ rệt: Ở điện áp 1,1V, hiệu năng tăng 25% hoặc tiết kiệm 36% điện năng. Ở chế độ điện áp thấp 0,75V, tốc độ tăng 18% với mức tiêu thụ giảm 38%. Kích thước cell SRAM chỉ còn 0,021 µm², ngang bằng với tiến trình N5/N3E của TSMC.

Hai đột phá công nghệ chính là transistor RibbonFET thế hệ 2 (kiểu GAA) và mạng phân phối điện PowerVia mặt sau. PowerVia giúp tăng mật độ transistor 8-10%, giảm sụt áp tới 10 lần và đơn giản hóa thiết kế chip. Các thử nghiệm độ tin cậy khẳng định khả năng hoạt động ổn định trong điều kiện khắc nghiệt.

Intel cũng tối ưu hóa quy trình sản xuất với công nghệ EUV đơn giản, giảm số lượng mặt nạ cần dùng, đồng thời duy trì khả năng tương thích với các giải pháp đóng gói tiên tiến. Dù không hỗ trợ điện áp cao 1,3V như Intel 3, những ưu điểm vượt trội giúp 18A trở thành đối thủ đáng gờm của tiến trình N2 sắp tới từ TSMC. Câu hỏi lớn là liệu điều này có giúp Intel lấy lại vị thế trên thị trường bán dẫn hay không.